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机译:带有Eu源/漏电极的C_ <60>场效应晶体管器件的输出特性
Ochi, Kenji; Nagano, Takayuki; Ohta, Toshio; Nouchi, Ryo; Kubozono, Yoshihiro; Matsuoka, Yukitaka; Shikoh, Eiji; Fujiwara, Akihiko;
机译:带有Eu源/漏电极的C_(60)场效应晶体管器件的输出特性
机译:使用LiF / Ag源/漏电极改善基于C_(60)的场效应晶体管的迁移率
机译:源/漏电极的功函数引起per场效应晶体管输出特性的变化
机译:在聚合物衬底上制造具有银纳米线源/漏电极的溶液处理的顶栅型n沟道有机场效应晶体管
机译:硅化铂源漏场效应晶体管的物理技术
机译:电流动力喷墨印刷有机场效应晶体管源/漏电极的几何控制
机译:带有Eu源/漏电极的C 60 sub>场效应晶体管器件的输出特性
机译:在半导体器件中制造绝缘栅场效应晶体管的方法,其中通过在栅电极上形成硅化物来限定源/漏电极和场效应晶体管
机译:在半导体器件中的绝缘栅场效应晶体管中,通过在栅电极上形成硅化物来限定源/漏电极和场效应晶体管
机译:具有两个MOS晶体管的阈值电路-晶体管的源极-漏极部分与形成输入的栅极和形成输出的漏极串联连接
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